陶瓷电容器失效原因：多层叠片结构的缝隙较多，223M 瓷介电容，电极位置不易精l确，介质表面的留边量小，叠片层两端涂覆外电极时银浆渗入缝隙，降低了介质表面的绝缘电阻，并使电极之间的路径缩短，瓷介电容，银离子迁移时容易产生短路现象。银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化，而且可能引起介质击穿场强下降，后导致电容器击穿。东莞市辰城电子有限公司是一家有着多年丰富经验和先进技术及先进自动生产线的商家，经营产品有：高中低压系列陶瓷电容器；安规Y1、Y2电容；薄膜类CBB电容器；盒装电容器；独石电容器等等...
多层陶瓷电容器：多层陶瓷电容器是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，473M1KV瓷介电容，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性。
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